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fdd 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FDD044AN03L詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫歐 @ 35A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:118nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5160pF @ 15V
功率_最大:160W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

FDD050N03B詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2875pF @ 15V
功率_最大:65W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

FDD068AN03L詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫歐 @ 35A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2525pF @ 15V
功率_最大:80W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

FDD107AN06LA0詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:91 毫歐 @ 10.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:360pF @ 25V
功率_最大:25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

FDD10AN06A0詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1840pF @ 25V
功率_最大:135W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252AA
包裝:剪切帶 (CT)

FDD10AN06A0詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1840pF @ 25V
功率_最大:135W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252AA
包裝:帶卷 (TR)

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