MJD127T4G的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid MJD127T4G
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 2025416992
零件包裝代碼 DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252
包裝說明 LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
針數 3
制造商包裝代碼 369C
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 10 weeks
風險等級 0.54
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2024-09-19 14:45:22
YTEOL 4
外殼連接 COLLECTOR
最大集電極電流 (IC) 8 A
集電極-發射極最大電壓 100 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流電流增益 (hFE) 100
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -65 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 20 W
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 40
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
標稱過渡頻率 (fT) 4 MHz

MJD127T4G 達額頓管的特性與應用

在現代電子技術中，達額頓管（MJD127T4G）作為一種重要的電子元器件，其應用范圍遍及工業控制、消費電子、汽車電子等多個領域。達額頓管是一種具有高功率和高電流處理能力的雙極型晶體管，因而在電力電子的設計中占據了不可替代的位置。

達額頓管的基本結構與工作原理

MJD127T4G屬于NPN型晶體管，其結構主要包括發射極、基極和集電極三個部分。發射極為N型半導體，基極為P型半導體，集電極則為N型半導體。這種結構使得達額頓管可以通過控制基極電流來調節集電極與發射極之間的電流。

達額頓管的工作原理可以理解為：當基極施加一定電壓時，基極中的少數載流子（電子）會向發射極注入，從而在集電極和發射極之間形成較大的電流。其工作特性受到基極電流和溫度等因素的影響，使得達額頓管在某些情況下會展現出良好的放大效應。

MJD127T4G 的電氣特性

MJD127T4G 達額頓管具有一些重要的電氣特性。首先，其最大集電極電壓（V_CE）為80V，適用于高壓電路。其次，最大集電極電流（I_C）可達到8A。這樣的參數使得MJD127T4G非常適合用于各種功率控制電路中。

另外，MJD127T4G的增益（h_FE）在一定范圍內通常為40到120，具體數值取決于工作條件。復合型晶體管的麥克斯韋方程組可以在一定程度上解釋這種增益特性，從而為電路設計提供參考。

應用領域

MJD127T4G 的應用范圍極廣，涵蓋了許多領域。在工業控制方面，常用于電機驅動和可編程邏輯控制器等。由于其能夠承受較高的電壓和電流，非常適合在需要絕對穩定和可靠性的環境中工作。

在消費電子產品中，MJD127T4G被廣泛應用于音頻放大器和開關電源等設備。其高增益特性使得其在音頻信號處理中能夠有效提高信號強度，而在開關電源中，則可以幫助實現高效的能量轉換。

汽車電子產品也頻繁使用MJD127T4G，尤其在發動機控制單元（ECU）和燈光控制電路中。隨著汽車電子化程度的提高，對高性能、高穩定性的電子元器件的需求也日益增長，MJD127T4G恰好滿足了這些要求。

散熱管理與熱特性

盡管MJD127T4G具備高電流處理能力，散熱問題仍然是其設計時需要考慮的重要因素。達額頓管在工作時會產生一定的熱量，過高的溫度會直接影響其性能，甚至導致器件失效。因此，合適的散熱設計至關重要。

散熱可以通過多種方式實現，包括散熱片、風扇冷卻以及液體冷卻等。設計時需要根據具體應用的功率和環境條件來選擇恰當的散熱方案，從而確保達額頓管在最佳溫度下運行。

可靠性與壽命

達額頓管的可靠性不僅與其材料質量有關，還與工作環境和使用條件密切相關。為了提高MJD127T4G的可靠性，制造商往往采取多重工藝控制措施，如對材料進行嚴格篩選、采用先進的封裝技術等。

此外，在實際應用中，合理的電路設計及其保護措施也至關重要。例如，適時的電壓保護、過流保護和溫度監測等措施都能夠有效延長達額頓管的使用壽命。這些措施對于提升整體系統的穩定性與可靠性同樣具有不可忽視的作用。

未來發展趨勢

隨著科技的迅速發展，尤其是在能源效率和功率密度要求日益提高的今天，MJD127T4G及同類達額頓管的技術也在不斷進步。一方面，廠家在材料和工藝上進行創新，力求在維持成本的同時提升器件性能；另一方面，隨著智能化技術的發展，達額頓管也逐步融入到智能電子系統中。

在電動汽車、可再生能源等新興領域，MJD127T4G的高能量轉換效率與穩定性，使其成為理想的功率控制元件。未來，隨著對電力密度及效率要求的不斷提高，新的技術變革將進一步推動達額頓管的應用拓展。同時，隨著新材料的不斷涌現，如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等新型半導體材料的研究進展，達額頓管的設計與制造也將面臨新的機遇與挑戰。

MJD127T4G ON（安森美）
NTTFS5116PLTAG ON(安森美)
PCI9054-AC50PIF PLX
TCAN1042HGVDRQ1 TI(德州儀器)
ADS8568SPMR TI(德州儀器)
1SMB5931BT3G ON(安森美)
LMX2592RHAR TI(德州儀器)
IRLML6244TRPBF Infineon(英飛凌)
TPS54310PWPR TI(德州儀器)
5M160ZE64I5N ALTERA(阿爾特拉)
AOZ1284PI AOS(萬代)
ADR3425ARJZ-R7 ADI(亞德諾)
BAS16HT1G NXP(恩智浦)
ESD5451N-2/TR WILLSEMI(韋爾)
KSZ9031RNXCC-TR Microchip(微芯)
TL431BCDBZR TI(德州儀器)
LFCN-1200+ Mini-Circuits
6PAIC3109TRHBRQ1 TI(德州儀器)
B0505S-1WR2 MORNSUN(金升陽)
STD6N95K5 ST(意法)
RTL8370N-VB-CG REALTEK(瑞昱)
C8051F410-GQR SILICON LABS(芯科)
XCKU060-2FFVA1517I XILINX(賽靈思)
MC1413DR2G ON(安森美)
BSC014N06NS Infineon(英飛凌)
TSC2046IPWR TI(德州儀器)
STN3NF06L ST(意法)
LMR50410XFDBVR TI(德州儀器)
MOC3041M ON(安森美)
ACPL-C87B-500E Avago(安華高)
PCA9685BS NXP(恩智浦)
DSPIC33FJ256GP710-I/PF Microchip(微芯)
BCP56-16 NXP(恩智浦)
LM2576R-5.0 HTC(泰進)
FDN335N Freescale(飛思卡爾)
10M16SAE144I7G ALTERA(阿爾特拉)
NCV7321D11R2G ON(安森美)
SE555DR TI(德州儀器)
MC34063ACD-TR ST(意法)
ADM3491EARZ ADI(亞德諾)
MCP6S21-I/MS Microchip(微芯)
LM2904VDR2G TI(德州儀器)
SA602AD/01 NXP(恩智浦)
SN74LV244APWR TI(德州儀器)
STP75NF20 ST(意法)
TPD1E1B04DPYR TI(德州儀器)
CS8900A-CQ3Z CirrusLogic(凌云邏輯)
LM63625DQDRRRQ1 TI(德州儀器)
SRV05-4 Bourns(伯恩斯)
LM5155DSSR TI(德州儀器)
NUF2042XV6T1G ON(安森美)
RT8289GSP RICHTEK(臺灣立锜)
MCIMX535DVV2C Freescale(飛思卡爾)
TL432BQDBZR TI(德州儀器)
MP9487GN-Z MPS(美國芯源)
ATXMEGA16D4-MH Microchip(微芯)
VND5T035AKTR-E ST(意法)
IPD50P04P4-13 Infineon(英飛凌)
MC14489BDWE MOTOROLA(摩托羅拉)
10M04DCF256C8G ALTERA(阿爾特拉)
2SC5200 TOSHIBA(東芝)
ADA4096-2ARMZ ADI(亞德諾)
STD4NK60ZT4 ST(意法)
IS25LP128F-JBLE-TR ISSI(美國芯成)
MC33364DR2G ON(安森美)
SST39VF040-70-4C-NHE SST
TMS320C6747DZKBA3 TI(德州儀器)
LSM6DSOWTR ST(意法)
THS4521IDR TI(德州儀器)
ADG3304BRUZ ADI(亞德諾)
1SMA5927BT3G ON(安森美)
NCV2902DR2G ON(安森美)
PIC24FJ256GA106-I/PT Microchip(微芯)
FDC86244 ON(安森美)
MC79M05BDTG ON(安森美)
MC9S08DZ60ACLH Freescale(飛思卡爾)
NE556N TI(德州儀器)
XCZU4EV-1SFVC784I XILINX(賽靈思)
ATECC608B-MAHDA-S Microchip(微芯)
SN74HC540PWR TI(德州儀器)
EP4CE40U19I7N INTEL(英特爾)
SN74HC595DBR TI(德州儀器)
CC6-2405SF-E TDK-Lambda
5CGXFC9D6F27I7N ALTERA(阿爾特拉)
MP2941BGL-Z MPS(美國芯源)
BQ24296MRGER TI(德州儀器)
TPS62082DSGR TI(德州儀器)
GL3523-OTY30 GENESYS(創惟)
MM3Z7V5ST1G ON(安森美)
TMP112AQDRLRQ1 TI(德州儀器)
TPS548B28RWWR TI(德州儀器)
DW1000 Qorvo(威訊聯合)
STM32F051C8T6TR ST(意法)
MT48LC8M16A2P-6AIT:L micron(鎂光)
VN5E050AJTR-E ST(意法)
PIC16F876-20I/SO Microchip(微芯)
VN7140AJTR ST(意法)
AD5263BRUZ20 ADI(亞德諾)
ADSP-BF609BBCZ-5 ADI(亞德諾)
ACS709LLFTR-35BB-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
HI-8787PQI Holt Integrated Circuits Inc.
AD8099ARDZ ADI(亞德諾)
ADM8660ARZ ADI(亞德諾)
M21528G-13 MACOM
NVMFD5C462NLT1G ON(安森美)
ESP8285N08 ESPRESSIF 樂鑫
MPC941AE Freescale(飛思卡爾)
TDA5210 Infineon(英飛凌)
EMMC32G-TX29-GA8A Kingston
TDA4863-2G Infineon(英飛凌)
TPS65994ADRSLR TI(德州儀器)
AAT1597-Q25-T
ADG726BSUZ ADI(亞德諾)
ADRV9025ABBCZ ADI(亞德諾)
FDB0170N607L ON(安森美)
HI-8686PQI Holt Integrated Circuits Inc.
SN65HVD888DR TI(德州儀器)
STM32F746BET6 ST(意法)
5CEFA9U19I7N INTEL(英特爾)
ADBMS1818ASWAZ-RL ADI(亞德諾)
AD7655ASTZ ADI(亞德諾)
ADUM1400ARWZ ADI(亞德諾)
NCP1589AMNTWG ON(安森美)
CA3020A RCA
HMC244AG16 ADI(亞德諾)
BTF50060-1TEA Infineon(英飛凌)
OPA188AIDR Burr-Brown(TI)
STM32L051R8T6 ST(意法)
GP1S52VJ000F Sharp(夏普)
MT40A1G8SA-062E:E micron(鎂光)
MAX3160EAP Maxim(美信)
ATT7022EU ACTIONS
MK20DX256VMD10 Freescale(飛思卡爾)
PT7C4511WEX PERICOM(百利通)
AD202KN ADI(亞德諾)
FDD7N25LZTM Fairchild(飛兆/仙童)
SN74ALVC164245DGG TI(德州儀器)
ADA4817-1ARDZ ADI(亞德諾)
CP2105-F01-GM SILICON LABS(芯科)
LMH6643MAX NS(國半)