SIHP12N50C-E3 MOSFET 原裝優勢現貨 特價熱賣

SIHP12N50C-E3 MOSFET 原裝優勢現貨 特價熱賣屬性

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SIHP12N50C-E3 MOSFET 原裝優勢現貨 特價熱賣描述

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220AB-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導通電阻: 0.555 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: 15.49 mm
長度: 10.41 mm
系列: E
寬度: 4.7 mm
商標: Vishay / Siliconix
下降時間: 6 ns
Pd-功率耗散: 208 W
上升時間: 35 ns
工廠包裝數量: 50
典型關閉延遲時間: 23 ns
典型接通延遲時間: 18 ns
單位重量: 6 g

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