SIR662DP-T1-GE3 MOSFET 原裝優勢現貨 特價熱賣

SIR662DP-T1-GE3 MOSFET 原裝優勢現貨 特價熱賣屬性

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SIR662DP-T1-GE3 MOSFET 原裝優勢現貨 特價熱賣描述

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 0.0022 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 96 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: 1 N-Channel
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.04 mm
長度: 6.15 mm
系列: SIR
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 82 S
下降時間: 11 ns
Pd-功率耗散: 104 W
上升時間: 11 ns
工廠包裝數量: 3000
典型關閉延遲時間: 33 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
零件號別名: SIR662DP-GE3
單位重量: 506.600 mg


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