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IRLB3813PBF MOSFET 原裝正品 假一賠十

IRLB3813PBF  MOSFET  原裝正品   假一賠十產品圖片
  • 發布時間:2018/7/16 9:43:00
  • 所屬類別:電力半導體器件 » 其它電力半導體器件
  • 公    司:深圳市盈創晶芯電子有限公司

IRLB3813PBF MOSFET 原裝正品 假一賠十屬性

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IRLB3813PBF MOSFET 原裝正品 假一賠十描述

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 260 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.95 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.9 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 57 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
配置: Single
封裝: Tube
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 140 S
下降時間: 60 ns
Pd-功率耗散: 230 W
上升時間: 170 ns
工廠包裝數量: 1000
典型關閉延遲時間: 33 ns
典型接通延遲時間: 36 ns
零件號別名: SP001558110
單位重量: 6 g


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