SIHW30N60E-GE3 MOSFET 原裝現貨

SIHW30N60E-GE3 MOSFET 原裝現貨屬性

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SIHW30N60E-GE3 MOSFET 原裝現貨描述

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 29 A
Rds On-漏源導通電阻: 0.125 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Qg-柵極電荷: 85 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Bulk
高度: 20.82 mm
長度: 15.87 mm
系列: E
寬度: 5.31 mm
商標: Vishay / Siliconix
下降時間: 36 ns
Pd-功率耗散: 250 W
上升時間: 32 ns
工廠包裝數量: 480
典型關閉延遲時間: 63 ns
典型接通延遲時間: 19 ns
單位重量: 38 g


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