晶體管 SI8497DB-T2-E1 MOSFET

晶體管 SI8497DB-T2-E1 MOSFET屬性

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晶體管 SI8497DB-T2-E1 MOSFET描述

SI8497DB-T2-E1介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 13A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 49nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1320pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.77W（Ta），13W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 53 毫歐 @ 1.5A，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 6-microfoot
封裝/外殼 6-UFBGA
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金氧半場效晶體管在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效晶體管使用的氧化層。

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