晶體管 IRFS23N15D FET

晶體管 IRFS23N15D FET屬性

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晶體管 IRFS23N15D FET描述

IRFS23N15D介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 150V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 23A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 56nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），136W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 90 毫歐 @ 14A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

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