晶體管 FDB7030BL MOSFET

晶體管 FDB7030BL MOSFET屬性

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晶體管 FDB7030BL MOSFET描述

FDB7030BL介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 15 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 60A（Ta） 60W（Tc） TO-263AB
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 60A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1760pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 60W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 9 毫歐 @ 30A，10V
工作溫度 -65°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-263AB
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。

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