晶體管 SI3442BDV-T1-E3 FET

晶體管 SI3442BDV-T1-E3 FET屬性

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晶體管 SI3442BDV-T1-E3 FET描述

SI3442BDV-T1-E3介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 5nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 295pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 860mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 57 毫歐 @ 4A，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 6-TSOP
封裝/外殼 SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
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場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管.

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