晶體管 SIS410DN-T1-GE3 MOSFET - 單
晶體管 SIS410DN-T1-GE3 MOSFET - 單屬性
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晶體管 SIS410DN-T1-GE3 MOSFET - 單描述
SIS410DN-T1-GE3介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 35A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),52W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 4.8 毫歐 @ 20A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PowerPAK® 1212-8
封裝/外殼 PowerPAK® 1212-8
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:
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晶體管在電路最常用的用途應該是屬于信號放大這一方面,其次是阻抗匹配、信號轉換等,晶體管在電路中是個很重要的元件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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