晶體管 UM6K34NTCN FET

晶體管 UM6K34NTCN FET屬性

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晶體管 UM6K34NTCN FET描述

UM6K34NTCN介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 10 周
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 200mA 120mW Surface Mount UMT6
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平柵極，0.9V 驅動
漏源電壓（Vdss） 50V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 200mA
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.2 歐姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V
功率 - 最大值 120mW
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝 UMT6
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根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

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