晶體管 H7N1002LS-E MOSFET

晶體管 H7N1002LS-E MOSFET屬性

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晶體管 H7N1002LS-E MOSFET描述

H7N1002LS-E介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 75A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 155nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9700pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 100W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 10 毫歐 @ 37.5A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 4-LDPAK
封裝/外殼 SC-83
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金屬氧化物半導體場效應管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。

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