晶體管 IXTA130N065T2 MOSFET - 單
晶體管 IXTA130N065T2 MOSFET - 單屬性
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晶體管 IXTA130N065T2 MOSFET - 單描述
IXTA130N065T2介紹:
描述 MOSFET N-CH 65V 130A TO-263
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 24 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 65V 130A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXTA)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 TrenchT2™
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 65V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 130A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 79nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 6.6 毫歐 @ 50A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-263(IXTA)
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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晶體管在電路最常用的用途應該是屬于信號放大這一方面,其次是阻抗匹配、信號轉換等,晶體管在電路中是個很重要的元件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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