晶體管 IXFH58N20 MOSFET - 單

晶體管 IXFH58N20 MOSFET - 單屬性

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晶體管 IXFH58N20 MOSFET - 單描述

IXFH58N20介紹：
描述 MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
詳細描述 通孔 N 溝道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 HiPerFET™
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 58A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 220nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 40 毫歐 @ 29A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247AD（IXFH）
封裝/外殼 TO-247-3
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比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動，這都是電子管所無法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡便，有利于提高元器件的安裝密度。

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