晶體管 NTD2955-1G 半導體產品

晶體管 NTD2955-1G 半導體產品屬性

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晶體管 NTD2955-1G 半導體產品描述

NTD2955-1G介紹：
描述 MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 17 周
詳細描述 通孔 P 溝道 60V 12A（Ta） 55W（Tj） I-PAK
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 12A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 30nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 55W（Tj）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 180 毫歐 @ 6A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 I-PAK
封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

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晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發明之一，在重要性方面可以與印刷術，汽車和電話等的發明相提并論。晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。

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