晶體管 FT150R12KE3 模塊

晶體管 FT150R12KE3 模塊屬性

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晶體管 FT150R12KE3 模塊描述

FT150R12KE3介紹：
描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 含鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 IGBT Module 3 Independent 1200V 200A 700W Chassis Mount Module
類別 分立半導體產品
晶體管 - IGBT - 模塊
制造商 Infineon Technologies
系列 -
零件狀態 在售
IGBT 類型 -
配置 3 個獨立式
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 200A
功率 - 最大值 700W
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.15V @ 15V，150A
電流 - 集電極截止（最大值） 5mA
不同 Vce 時的輸入電容（Cies） 10.5nF @ 25V
輸入 標準
NTC 熱敏電阻 無
工作溫度 -40°C ~ 125°C
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 模塊
供應商器件封裝 模塊
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外部特征是指模塊跟外部環境聯系的接口和模塊的功能；內部特征是指模塊的內部環境具有的特點。其他程序編寫中可以導入并且調用現成中的子程序，節約開發時間，減少重復代碼，便于協作開發。

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