晶體管 PMV48XP,215 MOSFET - 單

晶體管 PMV48XP,215 MOSFET - 單屬性

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晶體管 PMV48XP,215 MOSFET - 單描述

PMV48XP,215介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 8 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 20V 3.5A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 55 毫歐 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.25V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 510mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-236AB（SOT23）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。

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