晶體管 IPB45P03P4L-11 MOSFET - 單

晶體管 IPB45P03P4L-11 MOSFET - 單屬性

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晶體管 IPB45P03P4L-11 MOSFET - 單描述

IPB45P03P4L-11介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 汽車級，AEC-Q101，OptiMOS™
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 45A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 10.8 毫歐 @ 45A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 85μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 55nC @ 10V
Vgs（最大值） +5V，-16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3770pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 58W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TO263-3-2
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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無論多么優良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。

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