晶體管 IRFPE40 MOSFET - 單

晶體管 IRFPE40 MOSFET - 單屬性

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晶體管 IRFPE40 MOSFET - 單描述

IRFPE40介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 800V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5.4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2 歐姆 @ 3.2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 130nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247-3
封裝/外殼 TO-247-3
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。

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