射頻模塊 RA01L8693MA RA45H4047M RA55H4047M

射頻模塊 RA01L8693MA RA45H4047M RA55H4047M屬性

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射頻模塊 RA01L8693MA RA45H4047M RA55H4047M描述

RA01L8693MA是1.4-watt RF的MOSFET放大器模塊.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.輸出功率和漏電流增加門極電壓增加.與周圍0.5V柵極電壓（***小），輸出功率和漏電流大幅增加.標稱輸出功率變在1.5V（典型值），2.0V可用（）.在VGG=2.0V,的典型柵極電流1mA

特征
•增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=3.3V, VGG=0V)
• Pout>1.4W,ηT>38% @ VDD=3.3V, VGG=2.0V, Pin=30mW
•寬帶頻率范圍：865-928MHz
•低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=2.0V
•模塊尺寸：9.1 x 9.2 x 1.8 mm


RA45H4047M是45-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在400-470-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進入=0V),只有一小漏電流漏極和RF衰減輸入信號的60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓增加.與周圍4V柵極電壓（***小），輸出功率和漏電流大幅增加.標稱輸出功率變在4.5V（典型值），5V可用（）.在VGG=5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調頻調制，但也可能是線性調制使用設置排水靜態電流與柵極電壓和控制輸出功率與輸入功率.

特征
•增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>45W,ηT>35% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•寬帶頻率范圍：400-470MHz
•低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•線性操作有可能通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率

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