晶體管 AFT27S010NT1 MOSFET

晶體管 AFT27S010NT1 MOSFET屬性

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晶體管 AFT27S010NT1 MOSFET描述

AFT27S010NT1介紹：
描述 FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
詳細描述 射頻 Mosfet LDMOS 28V 90mA 2.17GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W-2
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
制造商 NXP USA Inc.
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
晶體管類型 LDMOS
頻率 2.17GHz
增益 21.7dB
電壓 - 測試 28V
額定電流 -
噪聲系數 -
電流 - 測試 90mA
功率 - 輸出 1.26W
電壓 - 額定 65V
封裝/外殼 PLD-1.5W
供應商器件封裝 PLD-1.5W-2

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金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。


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