晶體管 FDG6316P MOSFET - 陣列

晶體管 FDG6316P MOSFET - 陣列 屬性

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晶體管 FDG6316P MOSFET - 陣列 描述

FDG6316P介紹：
描述 MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
制造商標準提前期 42 周
詳細描述 2 個 P 溝道（雙） Mosfet 陣列 12V 700mA 300mW 表面貼裝 SC-70-6
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 P 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 700mA
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 270 毫歐 @ 700mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 146pF @ 6V
功率 - 最大值 300mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝 SC-70-6
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