三菱全新進口射頻模塊 RA30H1317M

三菱全新進口射頻模塊 RA30H1317M屬性

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三菱全新進口射頻模塊 RA30H1317M描述

RA30H1317M1是30-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在135-175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.輸出功率和作為柵極漏電流增加電壓的增加.隨著一門圍繞3.5V電壓（***小），輸出功率和漏電流大幅增加.額定輸出功率變為可在4V（典型值）和5V（）.在VGG=5V,典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調頻調制，但可能也可用于線性調制通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率.

特征
•增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>30W,ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•寬帶頻率范圍：135-175MHz
•低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•線性操作有可能通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率
•RA30H1317M1-101是RoHS兼容產品
•RoHS遵守表明該地段后由信“G”扣分.

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