功放模塊 RA45H7687M1

功放模塊 RA45H7687M1屬性

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功放模塊 RA45H7687M1描述

RA45H7687M1是45-watt RF的MOSFET放大器模塊12.8-volt移動電臺在向工作在764-870-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓和柵電壓1 2(VGG1=VGG2=0V),只有一小漏電流流入下水道和額定輸出信號(Pout=45W)衰減到60 dB.當固定i.e. 3.4V,是提供給1,的輸出功率和電壓的漏門當前增加柵極電壓2增加.輸出功率和漏電流大幅增加門電壓2周圍E HHH（***低）的條件下，當0V柵極電壓1是3.4V.備存的額定輸出功率在變為可用狀態，VGG2是4V（典型值），5V（）.在這一點上，VGG1要保持3.4V在VGG1=3.4V & VGG2=5V,的典型柵極電流0.4mA.該模塊是專為非線性調頻調制，但可能也可用于線性調制通過設置靜態漏目前同門電壓和輸出功率控制與輸入功率.

特征
•增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.8V, VGG=0V)
• Pout>45W,ηT>33%@VDD=12.8V, VGG1=3.4V, VGG2=5V, Pin=50mW
•寬帶頻率范圍：764-870MHz
•金屬帽結構的改善使得RF輻射簡單
•低功耗控制電流IGG1+IGG2=0.4mA (typ)@ VGG1=3.4V, VGG2=5V
•模塊尺寸：67 x 18 x 9.9 mm
•線性操作有可能通過設置靜態漏目前同門電壓和輸出功率控制與輸入功率

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