RA08H1317M RA35H1516M RA20H8994M

RA08H1317M RA35H1516M RA20H8994M屬性

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RA08H1317M RA35H1516M RA20H8994M描述

一：RA08H1317M是8-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在135-工作的移動收音機175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓上升.與周圍2.5V（***低），輸出功率和電壓門漏電流大幅增加.額定輸出功率變在3V（典型值）和3.5V（）提供.在VGG=3.5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性頻調制，但可能也可用于線性調制通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率.

特征
•增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>8W @ VDD=12.5V, VGG=3.5V, Pin=20mW
•ηT>40% @ Pout=8W (VGG控制），VDD=12.5V, Pin=20mW
•寬帶頻率范圍：135-175MHz
•低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=3.5V
•模塊尺寸：30 x 10 x 5.4 mm
•線性操作有可能通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率
•RA08H1317M-101是RoHS兼容產品.
•RoHS遵守表明該地段后由信“G”扣分


二：RA35H1516M是40-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在154-162-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓上升.與周圍4V（***低），輸出功率和電壓門漏電流大幅增加.額定輸出功率變在4.5V（典型值）和5V（）提供.在VGG=5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調頻調制，但可能也可用于線性調制通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率.

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