晶體管 BSZ067N06LS3 G MOSFET - 單

晶體管 BSZ067N06LS3 G MOSFET - 單屬性

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晶體管 BSZ067N06LS3 G MOSFET - 單描述

BSZ067N06LS3 G介紹：

描述 MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 14A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包裝 帶卷（TR）

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 14A（Ta），20A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 6.7 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 35μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 67nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5100pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 PG-TSDSON-8

封裝/外殼 8-PowerVDFN

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