晶體管 SIRA10DP-T1-GE3 MOSFET - 單

晶體管 SIRA10DP-T1-GE3 MOSFET - 單屬性

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晶體管 SIRA10DP-T1-GE3 MOSFET - 單描述

SIRA10DP-T1-GE3介紹：

描述 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

制造商標準提前期 32 周

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 60A（Tc） 5W（Ta），40W（Tc） PowerPAK® SO-8

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包裝 帶卷（TR）

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 60A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3.7 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 51nC @ 10V

Vgs（最大值） +20V，-16V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2425pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 5W（Ta），40W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 PowerPAK® SO-8

封裝/外殼 PowerPAK® SO-8

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晶體管有三個極: 雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）; 場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。



威世隨后采取了一些較小規模的對無源元件制造廠商的收購。 在2000年收購了伊萊克芬(Electro-Films)、思拉麥特(Cera-Mite)和思伯喬(Spectrol)，在2001年收購了銓斯特(Tansitor)和北美電容器公司(馬洛里)【North American Capacitor Company (Mallory) 】。

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