晶體管 SUD50P04-08-GE3 FET-MOSFET

晶體管 SUD50P04-08-GE3 FET-MOSFET屬性

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晶體管 SUD50P04-08-GE3 FET-MOSFET描述

SUD50P04-08-GE3介紹：

描述 MOSFET P-CH 40V 50A DPAK

詳細描述 表面貼裝 P 溝道 40V 50A（Tc） 2.5W（Ta），73.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包裝 帶卷（TR）

零件狀態 在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 40V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 50A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 8.1 毫歐 @ 22A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 159nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5380pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），73.5W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 TO-252，（D-Pak）

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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晶體管在電路最常用的用途應該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉換等，晶體管在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。



威世接下來的半導體公司收購發生在2001年，購買了英飛凌科技(Infineon Technologies)公司的紅外線元件業務。跟著在2001年收購了全球二極管和整理器領先的制造商通用半導體(General Semiconductor)。

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