晶體管 STL3NM60N FET-MOSFET

晶體管 STL3NM60N FET-MOSFET屬性

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晶體管 STL3NM60N FET-MOSFET描述

STL3NM60N介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

制造商標準提前期 42 周

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 600V 650mA（Ta），2.2A（Tc） 2W（Ta），22W（Tc） PowerFlat™（3.3x3.3）

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 STMicroelectronics

系列 MDmesh™ II

包裝 帶卷（TR）

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 650mA（Ta），2.2A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.8 歐姆 @ 1A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 188pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2W（Ta），22W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 PowerFlat™（3.3x3.3）

封裝/外殼 8-PowerVDFN

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晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。



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