IPW65R041CFD原廠原裝現貨，長期大量供應

IPW65R041CFD原廠原裝現貨，長期大量供應屬性

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IPW65R041CFD原廠原裝現貨，長期大量供應描述

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 68.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 37 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 300 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
高度: 21.1 mm
長度: 16.13 mm
系列: CoolMOS CFD2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.21 mm
商標: Infineon Technologies
CNHTS: 8541210000
下降時間: 8 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
產品類型: MOSFET
上升時間: 28 ns
工廠包裝數量: 240
子類別: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型關閉延遲時間: 127 ns
典型接通延遲時間: 34 ns
零件號別名: IPW65R041CFD IPW65R41CFDXK SP000756288
單位重量: 38 g

FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 25A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 125 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 70nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 35W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO220-FP
封裝/外殼 TO-220-3 整包

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