IPA65R190E6原廠原裝現貨
IPA65R190E6原廠原裝現貨屬性
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IPA65R190E6原廠原裝現貨描述
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 20.2A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 190 毫歐 @ 7.3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 730µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 73nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 34W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO220 整包
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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