IPW60R160C6
IPW60R160C6屬性
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- Infineon
IPW60R160C6描述
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 23.8A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 160 毫歐 @ 11.3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 750µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 176W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO247-3
封裝/外殼 TO-247-3
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