SCT2160KEC
SCT2160KEC屬性
- MOSFET
- TO-247-3
- ROHM Semiconductor
SCT2160KEC描述
制造商: ROHM Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續漏極電流: 22 A
Rds On-漏源導通電阻: 208 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 18 V
Qg-柵極電荷: 62 nC
最大工作溫度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 165 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
系列: SCT2x
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
商標: ROHM Semiconductor
正向跨導 - 最小值: 2.4 S
CNHTS: 8541290000
下降時間: 27 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
產品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns
工廠包裝數量: 360
子類別: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型關閉延遲時間: 67 ns
典型接通延遲時間: 23 ns
零件號別名: SCT2160KE
單位重量: 38 g
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