IGW40N120H3
- 發布時間：2020/3/30 9:03:47
- 所屬類別：電力半導體器件 » IGBT模塊
- 公 司：深圳市金嘉銳電子有限公司
- 聯 系 人：朱先生
IGW40N120H3屬性
- IGBT 晶體管
- TO-247-3
- Infineon
IGW40N120H3描述
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.05 V
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
在25 C的連續集電極電流: 80 A
Pd-功率耗散: 483 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: HighSpeed 3
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 600 nA
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 240
子類別: IGBTs
TARIC: 8541290000
商標名: TRENCHSTOP
零件號別名: IGW40N120H3FKSA1 IGW4N12H3XK SP000667510
單位重量: 38 g
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聯系方式
- 聯系人：朱先生
- 地 址：深圳福田區振興路華康大廈211
- 郵 編：518000
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