SI9435BDY-T1-E3
SI9435BDY-T1-E3屬性
- 特價
- MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm
- MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm
- 特價
- Vishay
SI9435BDY-T1-E3描述
SI9435BDY-T1-E3
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 4.1 A
Rds On-漏源導通電阻: 42 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 16 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
系列: SI9
晶體管類型: 1 P-Channel
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 13 S
下降時間: 30 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 42 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 30 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
零件號別名: SI9435BDY-E3
單位重量: 187 mg
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