2N7002-7-F

2N7002-7-F屬性

---

2N7002-7-F描述

2N7002-7-F
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 210 mA
Rds On-漏源導通電阻: 5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 223 pC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
高度: 1 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFET Small Signal
系列: 2N7002
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Enhancement Mode Field Effect Transistor
寬度: 1.3 mm
商標: Diodes Incorporated
正向跨導 - 最小值: 80 mS
下降時間: 5.6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 7.6 ns
典型接通延遲時間: 2.8 ns
單位重量: 28 mg
網站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com

---

2N7002-7-F相關產品