CSD87381P

CSD87381P屬性

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CSD87381P描述

制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PTAB-5
通道數量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導通電阻: 16.3 mOhms, 7.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V, 1 V
Qg-柵極電荷: 3.9 nC, 8.9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
封裝: Reel
高度: 0.48 mm
長度: 3 mm
系列: CSD87381P
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 2.5 mm
商標: Texas Instruments
正向跨導 - 最小值: 40 S, 89 S
開發套件: CSD87381PEVM-603
下降時間: 3 ns, 2.9 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 19.3 ns, 16.3 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 10.6 ns, 16.8 ns
典型接通延遲時間: 6.7 ns, 7.9 ns

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