CSD87350Q5D

CSD87350Q5D屬性

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CSD87350Q5D描述

制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LSON-CLIP-8
通道數量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 40 A
Vgs - 柵極-源極電壓: 5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V, 750 mV
Qg-柵極電荷: 8.4 nC, 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 12 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
封裝: Reel
高度: 1.5 mm
長度: 6 mm
系列: CSD87350Q5D
晶體管類型: 2 N-Channel
類型: Synchronous Buck MOSFET Driver
寬度: 5 mm
商標: Texas Instruments
正向跨導 - 最小值: 97 S, 157 S
開發套件: TPS53819AEVM-123
下降時間: 2.3 ns, 4.7 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns, 10 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 13 ns, 33 ns
典型接通延遲時間: 7 ns, 8 ns
單位重量: 162 mg


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