FDV303N

FDV303N屬性

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FDV303N描述

制造商:ON Semiconductor
產品種類:MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
Id-連續漏極電流:680 mA
Rds On-漏源導通電阻:450 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:350 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Reel
高度:1.2 mm
長度:2.9 mm
產品:MOSFET Small Signal
系列:FDV303N
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:1.3 mm
商標:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:1.45 S
下降時間:8.5 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:8.5 ns
工廠包裝數量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:17 ns
典型接通延遲時間:3 ns
零件號別名:FDV303N_NL
單位重量:8 mg

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