FDP100N10

FDP100N10屬性

---

FDP100N10描述

制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 75 A
Rds On-漏源導通電阻: 10 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 208 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: PowerTrench
封裝: Tube
高度: 16.3 mm
長度: 10.67 mm
系列: FDP100N10
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.7 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 115 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 265 ns
工廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 125 ns
典型接通延遲時間: 70 ns
單位重量: 1.800 g

---

FDP100N10相關產品