FCP190N65F

發布時間：2020/3/30 9:49:59
所屬類別：集成電路 » 集成電路
公司：瀚佳科技（深圳）有限公司
聯系人：李小姐

FCP190N65F屬性

本站價格：特價
用途：
規格：TO220
市場價格：
生產廠家：ON

FCP190N65F描述

制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 20.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 208 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: SuperFET II FRFET
封裝: Tube
高度: 16.3 mm
長度: 10.67 mm
系列: FCP190N65F
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.7 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值: 18 S
下降時間: 4.2 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 11 ns
工廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 62 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
單位重量: 1.800 g