FDMS86181
FDMS86181屬性
- 面議
- PQFN-8
- ON
FDMS86181描述
制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: Power-56-8
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 124 A
Rds On-漏源導通電阻: 12 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 42 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: PowerTrench
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.1 mm
長度: 6 mm
產品: Power MOSFETs
系列: FDMS86181
類型: PowerTrench
寬度: 5 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值: 116 S
下降時間: 6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 9 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 25 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
單位重量: 90 mg