FCD850N80Z

FCD850N80Z屬性

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FCD850N80Z描述

制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 850 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 75 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: SuperFET II
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.39 mm
長度: 6.73 mm
系列: FCD850N80Z
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 4.5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 16 ns
單位重量: 470 mg

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