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IRFU210PBF

IRFU210PBF產品圖片
  • 發布時間:2021/9/17 10:56:54
  • 所屬類別:集成電路 » 集成電路
  • 公    司:深圳市騰樁電子有限公司

IRFU210PBF屬性

  • IRFU210PBF
  • VISHAY

IRFU210PBF描述


產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-251-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 2.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 8.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 8.9 ns
正向跨導 - 最小值: 0.8 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
系列: IRFR/U
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 14 ns
典型接通延遲時間: 8.2 ns
單位重量: 340 mg


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