IRF6665TRPBF

IRF6665TRPBF屬性

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IRF6665TRPBF描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DirectFET-SH
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 4.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 53 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 8.7 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
商標名: DirectFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 4.3 ns
高度: 0.7 mm
長度: 4.85 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 2.8 ns
工廠包裝數量: 4800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 14 ns
典型接通延遲時間: 7.4 ns
寬度: 3.95 mm
零件號別名: IRF6665TRPBF SP001559710
單位重量: 500 mg

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