CSD22206W
- 發布時間：2021/10/14 11:09:51
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
CSD22206W屬性
- 0
- TI
CSD22206W描述
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DSBGA-9
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 8 V
Id-連續漏極電流: 5 A
Rds On-漏源導通電阻: 9.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 6 V, + 6 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.05 V
Qg-柵極電荷: 14.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 45 ns
正向跨導 - 最小值: 20 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
系列: CSD22206W
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 118 ns
典型接通延遲時間: 37 ns
單位重量: 200 mg
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- 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SOT-23-5 拓撲結構: Boost 輸出電壓: 3 V to 40
聯系方式
- 聯系人：梁小姐
- 地 址：華強廣場B座7樓001室
- 郵 編：518000
- 電 話：17876146278/1581408197
- 傳 真：
- 郵 箱：1943137555@qq.com
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