SQJ479EP-T1_GE3
- 發布時間：2021/10/29 11:55:23
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
SQJ479EP-T1_GE3屬性
- 0
- Vishay
SQJ479EP-T1_GE3描述
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8-4
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續漏極電流: 32 A
Rds On-漏源導通電阻: 33 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 90 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 68 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
系列: SQ
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 50 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
零件號別名: SQJ479EP-T1_BE3
單位重量: 506.600 mg
SQJ479EP-T1_GE3相關產品
- MSS2P3HM3_A/H
- 產品: Schottky Rectifiers 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: DO-219AD-2 配
- MSE1PJHM3/89A
- 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: DO-219AD-2 Vr - 反向電壓 : 600 V If - 正向
- TPS54360BQDDARQ1
- 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-PowerPad-8 拓撲結構: Buck 輸出電壓: 65 V
- TPS7B4253QDDARQ1
- 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-PowerPad-8 輸出電壓: 2 V to 40 V 輸出電流
- RR1VWM6STFTR
- 安裝風格: SMD/SMT Vr - 反向電壓 : 600 V If - 正向電流: 1 A 類型: Standard
- SQJ479EP-T1_BE3
- 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8-4 晶體管極性: P-Channel 通道數
- TJA1145T/FDJ
- 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-14 類型: High Speed 封裝: Reel
- LM5141QRGERQ1
- 拓撲結構: Buck 輸出端數量: 1 Output 開關頻率: 440 kHz, 2.2 MHz 占空比 - 最大:
聯系方式
- 聯系人：梁小姐
- 地 址：華強廣場B座7樓001室
- 郵 編：518000
- 電 話：17876146278/1581408197
- 傳 真：
- 郵 箱：1943137555@qq.com
- Q Q：
QQ：1943137555 復制
QQ：23610956 復制
- Q Q：
- 微信：
公網安備44030402000607
