SQJ479EP-T1_BE3
- 發布時間：2021/10/29 11:58:20
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
SQJ479EP-T1_BE3屬性
- 0
- Vishay
SQJ479EP-T1_BE3描述
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8-4
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續漏極電流: 32 A
Rds On-漏源導通電阻: 33 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 90 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 68 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 50 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
零件號別名: SQJ479EP-T1_GE3
單位重量: 187 mg
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聯系方式
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