STW43NM60ND

STW43NM60ND屬性

---

STW43NM60ND描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 35 A
Rds On-漏源導通電阻: 88 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 255 W
通道模式: Enhancement
商標名: FDmesh
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 50 ns
高度: 20.15 mm
長度: 15.75 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 40 ns
系列: STW43NM60ND
600
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 120 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
寬度: 5.15 mm
單位重量: 6 g

---

STW43NM60ND相關產品